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日本CMK加速开发埋置元件PCB技术
pcbvs | 2008-11-25 11:09:09    阅读:70862   发布文章

日本CMK加速开发埋置元件PCB技术
日本CMK正在加速开发埋置元件印制电路板技术,探讨裸芯片POP(packge on packge封装上封装)等应用于内埋元件基板问题。
  该公司已经与卡西欧共同开发针对手表转子,将采用WLP(硅圆片级封装)技术的半导体埋入内置元件的PCB,这种埋置元件PCB正成功的实际应用。今后将进一步谋求芯片的更加薄型化,以使PCB总厚度更薄,计划扩大高密度封装和无线模块等的适用范围。
  目前,该公司正和半导体生产厂共同对裸芯片的埋入技术进行研究开发之中,目标是早日实现实用。对裸芯片埋入,目前正在探讨的是如何扩大裸芯片POP和无线模块的应用。
  CMK正在倾力开发的是与日本半导体(株)共同进行的埋入式LSI(大规模集成电路)封装技术。特别是围绕无线LAL(局域网)等对无线芯片的应用,确立了将厚度100mm的稞芯片埋入PCB内的技术。实现了焊盘节距60mm、芯片尺寸为4.1mm X 4.4mm、六层PCB厚度0.46mm、封装尺寸8.35mm X 8.7mm的目标。也已对性能进行了确认,发热和电磁干扰问题也得到解决。
  此外,采用埋入裸芯片PCB技术、POP的开发也正加速进行,内埋元件底部采用厚100mm的裸芯片(408只脚、节距50mm),叠在其上部封装使用的是厚度380mm的精密LGA(焊盘阵列)。今后的课题是解决KGD(已检验合格的芯片)和裸芯片所特有的翘曲问题,以及尽快实用化问题。
  另外,对已经实用化的埋置WLP(硅圆片级封装)PCB,开发更薄的芯片及埋入技术正在进行中。预计WLP厚度达到20Omm,PCB总厚度600mm。所形成的二阶积层多层板线宽/线间距为30mm/30mm,半加成法完全可适用。这将向sip(系统封装)和相机模块方面展开。
(PCB)

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